今天有一台新闻刷屏，就是国产重大技术装备推广应用目录里面关于光刻机的新闻。这里面有两个一个是使用氟化氪激光器的krf光刻机，对应248nm波长，可以制造栅极长度在130nm的芯片。还有使用氟化氩激光的Arf光刻机，也就是常规duv光刻机里波长最短的一种。在官方目录里面可以看到其分辨率是65nm，说明这个还不是immersion lithograp，既DUVi。 按照这个技术目录，国产基本可以稳定实现65nm~45nm的制成生产。但是如果要用国产完全实现中芯国际已经量产的N，N＋1工艺，还需国产突破分辨率35nm左右到DUVi。在此基础上，还要突破三维晶体管的finfet工艺和先进封装coskwos，才能完成大规模ai芯片的量产。 虽然任重道远，但就和2000年我们都军工突破4带机和航母一样，先进芯片制成已经可以期待完全国产化的时候了。这时希望国产iot大厂和新能源企业，都能在目前这个节点投入到国产化的流片和验证上来。工程应用才是促进国产高端产业链发展的捷径，也希望相关成果能尽快惠及所有人。